TY  - JOUR

T1  - GaAs-based self-aligned laser incorporating InGaP opto-electronic confinement layer

JO  - ELECTRON LETT

PY  - 2008/07/17

AU  - Groom KM

AU  - Stevens BJ

AU  - Childs DT

AU  - Alexander RR

AU  - Krysa AB

AU  - Roberts JS

AU  - Helmy AS

AU  - Hogg RA

ED  - 

DO  - DOI: 10.1049/el:20081236

VL  - 44

IS  - 15

SP  - 905

EP  - 907

Y2  - 2024/12/26

ER  -